一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法

摘要：本发明一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法解决了现有技术中工艺缺乏可制造性的问题，提出一种更具可制造性设计（DFM，DesignforManufacturability）的绝缘体上硅后栅极晶体管动态随机存储器（SOIGate-last1TDRAM）的制备方法，适用于45nm以下一代的HKMG（高介电常数氧化层+金属栅）后栅（Gate-last）工艺的集成电路制备中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110250287.X

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹;颜丙勇;陈玉文

主权项：一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法，在一硅基板中形成有通过后栅极工艺制成的包含一晶体管的后栅极高介电常数MOS结构，晶体管的漏极和源极分别与晶体管栅槽存在叠加区域，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：进行湿法刻蚀，将上述晶体管器件的晶体管栅槽内的样本栅去除，在刻蚀的过程中，保留晶体管栅槽底部的薄氧化层；????步骤b：晶体管栅槽内的倾斜一定的角度进行倾斜离子注入，使得晶体管栅槽下方的扩散区域反型为与该晶体管的阱区相同的掺杂类型。

专利地区：上海