一种四氯化硅中三氯氢硅杂质的去除方法专利登记公告

专利名称：一种四氯化硅中三氯氢硅杂质的去除方法

摘要：本发明为一种四氯化硅中三氯氢硅杂质的去除方法。它以市售粗四氯化硅为原料，以不活泼或惰性气体作为保护气氛，通入氯气，在光照的情况下，使三氯氢硅与氯气进行反应转化为四氯化硅，从而达到将三氯氢硅除去的目的。本方法快速、高效，经过提纯后的四氯化硅，其红外谱图中三氯氢硅的基频处未见有吸收，满足光纤用四氯化硅对三氯氢硅含量的要求。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010621126.2

专利申请（专利权）人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司

专利发明（设计）人：苏小平;王铁艳;毛威;莫杰;袁琴;刘福财;武鑫萍

主权项：一种四氯化硅中三氯氢硅杂质的去除方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)、将粗四氯化硅原料压入反应容器，并通入不活泼或惰性气体作为保护气氛；2)、在光照的情况下，通入氯气，使三氯氢硅与氯气进行反应；3)、光照数小时，至反应容器中的四氯化硅的三氯氢硅含量达到标准要求，停止反应。

专利地区：北京