一种带静电保护的发光二极管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种带静电保护的发光二极管及其制备方法

摘要：一种带静电保护的发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管中包括一个主发光二极管和一个集成的静电损伤保护二极管，主发光二极管的正极与静电损伤保护二极管的负极相连并引出作为正极，主发光二极管的负极与静电损伤保护二极管的正极相连引出作为负极。发光二极管的一侧有一条从顶面刻蚀到蓝宝石衬底的绝缘沟道，绝缘沟道上填充有SiO2绝缘层，SiO2绝缘层外围覆盖有金属接触电极。本发明能提高发光二极管的抗静电性能，延长发光二极管的使用寿命，具有制作流程简单、成本较低、适合于批量生产的特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010622196.X

专利申请（专利权）人：同方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：吴东海

主权项：一种带静电保护的发光二极管，它包括蓝宝石衬底(10)以及依次置于蓝宝石衬底(10)上方的N型GaN层(11)、有源发光层(12)、P型GaN层(13)和ITO薄膜(14)，ITO薄膜(14)和N型GaN层(11)上分别置有金属接触电极(16)，其特征在于，所述发光二极管中包括一个主发光二极管(1)和一个集成的静电损伤保护二极管(2)，主发光二极管(1)的正极与静电损伤保护二极管(2)的负极相连并引出作为正极，主发光二极管(1)的负极与静电损伤保护二极管(2)的正极相连引出作为负极；发光二极管的一侧有一条从

专利地区：北京