电荷耦合器件专利登记公告

专利名称：电荷耦合器件

摘要：本发明涉及一种电荷耦合器件。一种CCD包括：以行和列布置的二维电荷收集位点的二维阵列，每一行与在行方向延伸的多个电极(诸如多晶硅电极R1/1，R1/2，R1/3)相关联，每一电极对应于相应的电压相位IΦ1至IΦ3。当相电压出现在多晶硅电极的中央区域时，多晶硅电极的电阻率导致相电压的时间常数问题，并且因为这个原因，已提出沿着每个多晶硅电极延伸导电片从而降低其电阻(在背照式器件中，该片不会使输入辐射模糊)。然而，难以制造细微的金属特征，并且这于是还对如何将这些行接近地间隔开设置了约束。根据本发明，提供了具有重

专利类型：发明专利

专利号：CN201110459820.3

专利申请（专利权）人：E2V技术(英国)有限公司

专利发明（设计）人：K·A·D·哈德菲尔德

主权项：一种背照式CCD，包括：以行和列布置的电荷收集位点的二维阵列，每个行与在正面处在行方向上延伸并对应于各自的相电压的多个电极相关联；和多个导电片，每个片具有重复反转的倾斜部分，每个部分与两行或更多行的对应相电压的电极电气接触，并且每个部分在与在前部分被倾斜的方向相反的方向上相对于行倾斜。

专利地区：英国