感光成像装置、半导体器件的制作方法专利登记公告

专利名称：感光成像装置、半导体器件的制作方法

摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法及感光成像装置，所述半导体器件的制作方法，包括：提供形成在第一衬底上的第一器件层与形成在第二衬底上的连续的第二器件层，所述第一器件层的表面形成有导电的顶层焊垫层，所述连续的第二器件层的表面形成有连续的导电粘附层；将所述第一器件层键合到所述连续的第二器件层，其中所述第一器件层表面的顶层焊垫层直接焊接在所述第二器件层表面的导电粘附层；去除所述第二衬底；选择性刻蚀所述连续的第二器件层和连续的导电粘附层，以形成沟槽阵列；用绝缘材质填充所述沟槽阵列，以形成多个彼此绝缘隔离的第二器

专利类型：发明专利

专利号：CN201210071907.8

专利申请（专利权）人：上海丽恒光微电子科技有限公司

专利发明（设计）人：王志玮;毛剑宏;韩凤芹;张镭;唐德明

主权项：一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供形成在第一衬底上的第一器件层与形成在第二衬底上的连续的第二器件层，所述第一器件层的表面形成有导电的顶层焊垫层，所述连续的第二器件层的表面形成有连续的导电粘附层；将所述第一器件层键合到所述连续的第二器件层，其中所述第一器件层表面的顶层焊垫层直接焊接在所述第二器件层表面的导电粘附层，实现所述第一器件层与所述第二器件层的电学连接；去除所述第二衬底；选择性刻蚀所述连续的第二器件层和连续的导电粘附层，以形成沟槽阵列；用绝缘材质填充所述沟槽阵列，以形成多个彼此绝缘隔离的

专利地区：上海