一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法

摘要：一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的氮化镓层、ITO薄膜和SiO2保护层二。ITO薄膜和氮化镓层上分别置有金属电极。其结构特点是，所述蓝宝石衬底的底面有数多个粗化孔，蓝宝石衬底下表面附着反射层。同现有技术相比，本发明可以有效提高光提取效率，提升芯片的质量和性能，具有工艺简单，适宜大量生产的特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010622201.7

专利申请（专利权）人：同方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：张雪亮

主权项：一种提高发光效率的发光二极管，它包括蓝宝石衬底(1)以及依次置于蓝宝石衬底(1)上方的氮化镓层(2)、ITO薄膜(5)和SiO2保护层二(7)，ITO薄膜(5)和氮化镓层(2)上分别置有金属电极(9)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)的底面有数多个粗化孔(4)，蓝宝石衬底(1)下表面附着反射层(10)。

专利地区：北京