半导体发光元件专利登记公告

专利名称：半导体发光元件

摘要：本发明公开一种半导体发光元件。根据一个实施例，所述半导体发光元件包括发光层、第一导电类型的电流扩散层以及焊盘电极。所述发光层能够发射光。所述电流扩散层具有第一表面和第二表面。所述发光层设置在所述第一表面的一侧。在所述第二表面中包括具有三角形截面形状的凸起结构的光提取表面以及作为晶体生长平面的平坦表面。所述焊盘电极提供在所述平坦表面上。所述凸起结构的一个底角为90度或者更大。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110266714.3

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：山崎宏德;古木胜义;西川幸江

主权项：一种半导体发光元件，包括：能够发射光的发光层；第一导电类型的电流扩散层，所述电流扩散层具有第一表面和第二表面，所述发光层提供在所述第一表面的一侧，所述第二表面包括光提取表面以及作为晶体生长平面的平坦表面，所述光提取表面具有三角形截面形状的凸起结构；以及提供在所述平坦表面上的焊盘电极，所述凸起结构的一个底角为90度或者更大。

专利地区：日本