薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法

摘要：薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配

专利类型：发明专利

专利号：CN201080002870.2

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社

专利发明（设计）人：钟之江有宣;河内玄士朗

主权项：一种薄膜晶体管阵列装置，隔着层间绝缘膜与包含EL发光元件的EL层层叠，所述EL发光元件具有下部电极；所述薄膜晶体管阵列装置包括：基板；源极配线，其配置于所述基板的上方；栅极配线，其与所述源极配线交叉；第1晶体管，其包括在所述基板上形成的第1栅极电极；第2晶体管，其包括与所述下部电极电连接的电流供给用的电极；钝化膜，其介于所述层间绝缘膜与所述第1晶体管以及所述第2晶体管之间；和导电氧化物膜，其层叠在所述钝化膜上；所述电流供给用的电极，经由设置在所述钝化膜的第1孔部与所述下部电极电连接；所述薄膜晶体管阵列装置

专利地区：日本