半导体装置与用于制造半导体装置的方法专利登记公告

专利名称：半导体装置与用于制造半导体装置的方法

摘要：半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080019588.5

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;坂田淳一郎;三宅博之;桑原秀明;高桥辰也

主权项：一种半导体装置，包括：在一个衬底之上的包括第一晶体管的驱动器电路和包括第二晶体管的像素，其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每个都包括：栅极电极层；栅极电极层之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源极电极层；氧化物半导体层之上的漏极电极层；及栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极层和漏极电极层之上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层与源极电极层和漏极电极层之间的氧化物半导体层的至少一部分接触，其中第二晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极层、漏极电极层和氧化物绝缘层

专利地区：日本