薄膜晶体管、其制造方法及液晶显示装置专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管、其制造方法及液晶显示装置

摘要：本发明提供包含截止电流小、电位保持特性优异、消耗功率低的同时动作速度也快的低温多晶硅晶体管的薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法及使用它的液晶显示装置。该薄膜晶体管是在玻璃基板上形成栅电极、栅极绝缘膜、沟道区、源/漏电极的反交错结构的薄膜晶体管。该沟道区由多晶硅膜和覆盖该多晶硅膜的上表面及侧面的a-Si:H膜构成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080033821.5

专利申请（专利权）人：株式会社V技术

专利发明（设计）人：滨野邦幸

主权项：一种反交错结构的薄膜晶体管，其特征在于，具有：绝缘性基板；在该绝缘性基板上形成的栅电极；在该栅电极上形成的栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上的与所述栅电极对应的位置岛状形成的多晶硅膜；覆盖该多晶硅膜的上表面及侧面地形成的非晶硅膜；以及与该非晶硅膜的两端部电连接地形成的源/漏电极。

专利地区：日本