用于非易失性存储器中的增强沟道升压的减小的编程脉宽专利登记公告

专利名称：用于非易失性存储器中的增强沟道升压的减小的编程脉宽

摘要：通过在编程操作中途将使用较长持续时间的编程脉冲切换到较短持续时间的编程脉冲而在编程操作期间在非易失性存储系统中减少编程干扰。切换点可以基于温度、所选择的字线位置和/或跟踪存储元件至触发状态。对于较高温度，并且对于漏极侧字线，切换点出现得更早。可以基于温度来选择触发状态。存储元件的被要求达到触发状态以触发转接的部分也可以被设定为温度的函数。较短持续时间的编程脉冲可以改进被禁止的存储元件的沟道升压，由此对于这些存储元件减少编程干扰。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080027748.0

专利申请（专利权）人：桑迪士克技术有限公司

专利发明（设计）人：董颖达;杰弗里·W·卢策

主权项：一种用于对非易失性存储器进行操作的方法，包括：在编程操作中将第一系列编程脉冲(1301)施加至一组字线(WL0?WL63)中的所选择的字线(WLn)，所述一组字线与一组存储元件(700，710)连通，并且所述所选择的字线与所述一组存储元件中的至少一个所选择的存储元件和至少一个未被选择的存储元件连通；确定是否满足切换标准(1520)，所述切换标准依赖于温度；以及如果满足所述切换标准，则从在所述编程操作中将所述第一系列编程脉冲施加至所选择的字线切换到在所述编程操作中将第二系列编程脉冲(1302)施加至所选择的

专利地区：美国