使用浮置位线对非易失性存储器的部分速度和全速度编程专利登记公告

专利名称：使用浮置位线对非易失性存储器的部分速度和全速度编程

摘要：针对非易失性存储系统实现部分速度(细)和全速度(粗)编程。在编程操作期间，在第一时间段(t1-t3)中，对要禁止的存储元件的位线进行预充电，同时将要以部分速度编程(细编程)的存储元件的位线和要以全速度编程(粗编程)的存储元件的位线被固定在地电势处。在第二时间段(t4-t5)中，将要以部分速度编程的存储元件的位线驱动得更高，同时将要禁止的存储元件的位线浮置，并且使要编程的存储元件的位线保持接地。在第三时间段(t5-t8)中，将要禁止的存储元件的位线驱动得更高，同时将要以部分速度或全速度编程的存储元件的位线浮

专利类型：发明专利

专利号：CN201080037573.1

专利申请（专利权）人：桑迪士克技术有限公司

专利发明（设计）人：马恩·梅;董颖达;乐兵;迪潘舒·杜塔

主权项：一种操作非易失性存储系统的方法，包括：针对非易失性存储元件(100、102、104、106)的集合进行多迭代编程操作的迭代，所述集合包括分别与第一、第二和第三位线(BL禁止、BL编程?部分速度、BL编程?全速度)通信的至少第一、第二和第三非易失性存储元件串(450)；所述的进行迭代包括：(a)在第一时间段(t1?t3)中，在固定所述第二和第三位线的电势(Vss)的情况下，将所述第一位线的电势预充电到第一电平(Vddsa?ΔV)；(b)在所述第一时间段之后的第二时间段(t3?t5)的至少一部分(t4?t5)

专利地区：美国