简化铜-铜键结专利登记公告

专利名称：简化铜-铜键结

摘要：本发明涉及一种用以键结第一铜元素于第二铜元素上的方法，包含一步骤，其透过元素的接触形成富含氧的一结晶铜层在每一第一元素与一第二元素的每一表面上，所有层的总厚度小于6nm，所述步骤包含：a)至少一步骤，用以抛光表面以得到均方根粗糙度小于1nm及亲水性表面，b)至少一步骤，为了抑制因抛光的存在粒子与腐蚀抑制剂的主要部分而清洁所述表面，c)至少一步骤，用以放置所有富含氧的结晶铜层以彼此接触。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080029761.X

专利申请（专利权）人：法国原子能与替代能委员会

专利发明（设计）人：李·迪乔吉欧;皮艾瑞克·葛广;莫瑞斯·利佛依

主权项：一种用以键结第一铜元素于第二铜元素上的方法，其特征在于，至少包含：A)一步骤，透过元素的接触将一富含氧的结晶铜层形成在每一第一元素与第二元素的每一表面上，所有层的总厚度小于6nm，B)一步骤，放置所述富含氧的结晶铜层以彼此接触，所述步骤A)包含：a)至少一步骤，用以抛光所述表面以得到均方根粗糙度小于1nm及亲水性表面，b)至少一步骤，用以为了抑制因抛光的存在粒子与腐蚀抑制剂的主要部分而清洁所述表面。

专利地区：法国