采用193nm沉浸式光刻的定向自组装方法以及由此形成的分层结构专利登记公告

专利名称：采用193nm沉浸式光刻的定向自组装方法以及由此形成的分层结构

摘要：一种用于形成包括自组装材料的畴图案的分层结构的方法，包括：在衬底上布置包括非交联光刻胶的光刻胶层；可选地烘焙光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地烘焙已曝光光刻胶层；以及采用非碱性显影剂来显影已曝光光刻胶层以形成包括未交联已显影光刻胶的负性图案化光刻胶层；其中，已显影光刻胶不可溶于适用于浇铸能够自组装的给定材料的给定有机溶剂，并且已显影光刻胶可溶于含水碱性显影剂和/或第二有机溶剂。在图案化光刻胶层上浇铸包括溶解在给定有机溶剂中的能够自组装的给定材料的溶液，并且去除给定有机溶剂。当可选地加热和/或

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057273.X

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：J·程;W·辛斯伯格;G·M·沃尔拉夫;H·特隆;L·K·森德伯格;伊藤洋;D·P·桑德斯;H-C·金;Y-H·纳

主权项：一种用于形成包括自组装材料的畴图案的分层结构的方法，所述方法包括：在衬底上布置包括非交联光刻胶的光刻胶层；可选地烘焙所述光刻胶层；将所述光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地烘焙已曝光光刻胶层；以及采用非碱性显影剂来显影所述已曝光光刻胶层，以形成包括未交联已显影光刻胶的负性图案化光刻胶层；其中，所述已显影光刻胶不可溶于适用于浇铸能够自组装的给定材料的给定有机溶剂，并且所述已显影光刻胶可溶于含水碱性显影剂和/或第二有机溶剂；在所述图案化光刻胶层上浇铸包括溶解在所述给定有机溶剂中的能够自组装的给定材料的溶液，并

专利地区：美国