具有扩散阻挡层和隔离层的锡酸镉TCO结构专利登记公告

专利名称：具有扩散阻挡层和隔离层的锡酸镉TCO结构

摘要：一种光伏器件可包括邻近于基底的透明导电氧化物层和一个或多个阻挡层，所述一个或多个阻挡层可包括氧化硅或氮化硅。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080032680.5

专利申请（专利权）人：第一太阳能有限公司

专利发明（设计）人：斯科特·米尔斯;戴尔·罗伯茨;赵志波;杨宇

主权项：一种光伏器件，所述光伏器件包括：透明导电氧化物层，邻近于基底，所述透明导电氧化物层包括锡酸镉层；一个或多个阻挡层，位于所述基底和所述透明导电氧化物层之间，其中，所述一个或多个阻挡层中的每个包括氧化硅或氮化硅；氧化锡层，邻近于所述透明导电氧化物层；缓冲层，邻近于所述氧化锡层；以及半导体双层，邻近于所述缓冲层，所述半导体双层包括邻近于半导体窗口层的半导体吸收层。

专利地区：美国