半导体层材料和异质结太阳能电池专利登记公告

专利名称：半导体层材料和异质结太阳能电池

摘要：本发明涉及尤其是作为用于异质结太阳能电池的发射体材料使用的半导体层材料，其被构成为分别由多个交替地上下叠置地布置的第一和第二层组成的堆叠，其中第一层由元素的多晶半导体组成，并且第二层由半导体的亚化学计量的电绝缘化合物尤其是氧化物、碳化物或氮化物组成，并且其中通过退火这样不规则地对在第一和第二层之间的界面进行结构化，使得在相邻的通过第二层相互分开的第一层之间构造微接触区域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080038231.1

专利申请（专利权）人：罗伯特·博世有限公司

专利发明（设计）人：T.瓦格纳;R.勒尔维尔

主权项：尤其是用于作为异质结太阳能电池的发射体材料使用的半导体层材料，其被构成为分别由多个交替地上下重叠地布置的第一和第二层组成的堆叠，其中第一层由元素的多晶半导体组成，并且第二层由半导体的亚化学计量的电绝缘化合物尤其是氧化物、碳化物或氮化物组成，并且其中通过退火不规则地对在第一和第二层之间的界面进行结构化，使得在相邻的通过第二层相互分开的第一层之间构造微接触区域。

专利地区：德国