用于处理单晶CVD金刚石的方法及获得的产品专利登记公告

专利名称：用于处理单晶CVD金刚石的方法及获得的产品

摘要：描述了将NV中心引入单晶CVD金刚石材料的方法。该方法的一个步骤包括辐照包含单一取代氮的金刚石材料来将孤立空位以至少0.05ppm和至多1ppm的浓度引入金刚石材料中。该方法的另一步骤包括将辐照的金刚石退火以由至少一些单一取代氮和引入的孤立空位形成NV中心。还描述了粉色CVD金刚石材料和具有电子自旋性质的CVD金刚石材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080033965.0

专利申请（专利权）人：六号元素有限公司

专利发明（设计）人：D·J·台特申;S·L·乔赫甘;N·珀金斯;R·U·A·可汗

主权项：一种方法，其包括：i)提供已经由CVD生长并且含有单一取代氮(Nso)的单晶金刚石材料，该单晶金刚石材料的吸收光谱在350nm?750nm可见光范围内具有的总积分吸收使得至少10％的积分吸收归因于Nso；(ii)辐照提供的CVD金刚石材料从而将孤立空位V引入提供的CVD金刚石材料的至少一部分中，使得辐照的金刚石材料中孤立空位浓度为至少0.05ppm并且至多1ppm；以及(iii)将所辐照的金刚石材料退火以由至少一些单一取代氮(Nso)缺陷和引入的孤立空位在至少一部分提供的CVD金刚石材料中形成NV中心。

专利地区：英国