单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法专利登记公告

专利名称：单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法

摘要：本发明提供一种在单晶硅提拉中的高温下抑制发生沉入现象的氧化硅玻璃坩埚及其制造方法。氧化硅玻璃坩埚(10)具有：设置在坩埚外表面侧的含有多个气泡的不透明氧化硅玻璃层(11)，以及设置在坩埚内表面侧的透明氧化硅玻璃层(12)，其中，不透明氧化硅玻璃层(11)包括设置在坩埚上部的第一不透明氧化硅玻璃部分(11a)和设置在坩埚下部的第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)。第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)的比重是1.7～2.1，第一不透明氧化硅玻璃部分的比重是1.4～1.8，第一不透明氧化硅玻璃部分的比重小于第二不透

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040012.7

专利申请（专利权）人：日本超精石英株式会社

专利发明（设计）人：须藤俊明;小玉真喜子;神田稔;岸弘史

主权项：一种氧化硅玻璃坩埚，具有侧壁部、弯曲部以及底部且用于提拉硅单晶，其特征在于：包括设置在坩埚外表面侧的含有多个气泡的不透明氧化硅玻璃层，以及设置在坩埚内表面侧的透明氧化硅玻璃层，该不透明氧化硅玻璃层具有第一不透明氧化硅玻璃部分和第二不透明氧化硅玻璃部分，其中，该第一不透明氧化硅玻璃部分设置在属于从坩埚上端至该上端下方的第一中间位置为止的范围的坩埚上部，该第二不透明氧化硅玻璃部分设置在属于从第一中间位置至坩埚下端为止的范围，或者，从位于上述第一中间位置下方的第二中间位置至坩埚下端为止的范围的坩埚下部，相对于坩

专利地区：日本