制造具有不对称积层的基板的方法专利登记公告

专利名称：制造具有不对称积层的基板的方法

摘要：本发明披露了制造用于电子封装的基板的方法，该基板具有芯层、在芯层第一面上的m层积层以及在芯层第二面上的n层积层，其中m≠n。该方法包括：在第一面上形成m层积层中的(m-n)层，然后形成n对积层，该n对积层中的每对包括形成在第二面上的n层积层中的一层以及形成在第一面上的m层积层的剩余n层中的一层。每层积层包括介电层以及形成在其上的导电层。本发明披露的方法通过避免在基板制造期间对介电材料重复去钻污以保护每层积层中的介电层不被过度去钻污。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080034121.8

专利申请（专利权）人：ATI科技无限责任公司

专利发明（设计）人：安德鲁·雷昂;罗登·托帕西欧;里安·马丁内斯;易普森·罗

主权项：制造基板的方法，所述基板具有芯层、在所述芯层第一面上的m层积层以及在所述芯层第二面上的n层积层，其中，所述积层的每层包括介电层以及形成在其上的导电层，其中m＞n，所述方法包括：在所述第一面上形成所述m层积层中的(m?n)层，其中，所述m层积层中的所述(m?n)层中的每层的形成包括对各介电层钻孔并去钻污；以及形成n对积层，所述n对积层中的每对包括形成在所述第二面上的所述n层积层中的一层以及形成在所述第一面上的所述m层积层中的剩余n层中的一层，以及其中所述n对积层的每对的形成包括对各介电层对的每层钻孔，以及同

专利地区：加拿大