石墨烯大面积沉积及掺杂技术及使用它的产品专利登记公告

专利名称：石墨烯大面积沉积及掺杂技术及使用它的产品

摘要：本发明的某些实施例是有关使用石墨烯作为透明导电涂层(TCC)。在某些实施例中，石墨烯薄膜会由烃气(例如C2H2，CH4或类似物等)异质磊晶地大面积生长在例如催化剂薄膜上。某些实施例的石墨烯薄膜可被掺杂或不掺杂。在某些实施例中，石墨烯薄膜一旦形成后，可被剥离其载体基材并转移至接收基材，例如包括中间或最后产品中。以此方式生长、剥离及转移的石墨烯可展现低片电阻(例如小于150欧姆/平方，且有掺杂时更低)，及高透射率值(例如至少在可见光和红外线光谱中)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080034917.3

专利申请（专利权）人：格尔德殿工业公司

专利发明（设计）人：维嘉恩·S.·维拉萨米

主权项：一种制造掺杂的石墨烯薄膜的方法，所述方法包括：在催化剂薄膜上异质外延生长一种中间石墨烯薄膜，所述催化剂薄膜具有实质上单向的大晶粒晶体结构；在制造掺杂的石墨烯薄膜时以n型或p型掺杂剂来掺杂中间石墨烯薄膜；其中所述掺杂的石墨烯薄膜具有小于150欧姆/平方的片电阻。

专利地区：美国