SiC 单晶晶片及其制造方法专利登记公告
专利名称：SiC 单晶晶片及其制造方法
摘要：本发明涉及能够生长晶片来源的缺陷得以抑制的优质外延膜的SiC单晶晶片，该SiC单晶晶片的表面变质层的厚度为50nm以下，SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。该SiC单晶晶片可由高纯度SiC块状单晶制作，该高纯度SiC块状单晶通过使用氧含量100ppm以下的原料和氧浓度100ppm以下的非氧化性气氛的熔液生长法获得。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080048942.7
专利申请（专利权）人：住友金属工业株式会社
专利发明（设计）人：楠一彦;龟井一人;矢代将齐;小池淳一
主权项：一种SiC单晶晶片，其特征在于，该SiC单晶晶片在表面具有至少含有Si、C和O(氧)的非单晶结构的变质层，所述变质层的厚度为50nm以下，并且，SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。
专利地区：日本
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