碳化硅衬底及其制造方法专利登记公告

专利名称：碳化硅衬底及其制造方法

摘要：本发明公开了一种碳化硅衬底，其能够减少使用该碳化硅衬底的半导体器件的制造成本，以及该碳化硅衬底的制造方法。具体地，一种碳化硅衬底的制造方法，包括：制备(S10)每个均由碳化硅(SiC)构成的多个单晶体(1)的步骤；形成(S20)集合体的步骤；将单晶体彼此连接(S30)的步骤；以及对集合体进行切片(S60)的步骤。在步骤(S20)中，通过布置多个SiC单晶锭并且其间插入有包含Si的硅(Si)层，以形成单晶体的集合体。在步骤(S30)中，通过加热集合体将所述至少一部分形成为碳化硅，并且经由Si层中被形成为碳化

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004372.6

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：增田健良;伊藤里美;原田真;佐佐木信

主权项：一种用于制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备每个均由碳化硅制成的多个单晶体(1)(S10)；通过布置所述多个单晶体(1)并且在其间插入连接层(2，7，52)来形成包括所述单晶体(1)的集合体(S20)，所述连接层(2，7，52)包含硅；经由所述连接层(2，7，52)的至少一部分，通过所述连接层(2，7，52)将相邻的单晶体(1)彼此连接(S30)，通过加热所述集合体将所述至少一部分形成为碳化硅；以及对其中所述单晶体(1)彼此连接的所述集合体进行切片(S60)。

专利地区：日本