碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法专利登记公告
专利名称：碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法
摘要：本发明公开了一种SiC晶体(10)，其特征在于，其Fe浓度为0.1ppm以下，且其Al浓度为100ppm以下。本发明还公开了一种制造SiC晶体的方法，包括以下步骤。准备研磨用SiC粉末作为第一原料(17)。利用加热使所述第一原料(17)升华，并析出SiC晶体，从而生长第一SiC晶体(11)。粉碎所述第一SiC晶体(11)而形成第二原料(12)。通过利用加热使所述第二原料(12)升华，并析出SiC晶体，从而生长第二SiC晶体(14)。由此可获得能够抑制品质下降的SiC晶体和制造SiC晶体的方法。
专利类型：发明专利
专利号：CN201180004389.1
专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社
专利发明（设计）人：佐佐木信
主权项：一种碳化硅晶体(10)，其铁浓度不高于0.1ppm，且其铝浓度不高于100ppm。
专利地区：日本
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