用于对太阳能电池或太阳能电池前体等半导体结构进行测量的方法专利登记公告

专利名称：用于对太阳能电池或太阳能电池前体等半导体结构进行测量的方法

摘要：本发明涉及一种用于测量半导体结构的方法，其中所述半导体结构具有发射器和基底并且为太阳能电池或者太阳能电池的前体，该方法包括如下步骤：A)在半导体结构中产生发光，并且对半导体结构发射的光线进行分散测量，其中，在第一测量条件a下进行第一次测量，并且至少依据由第一次测量获得的测量数据，从步骤A所获得的测量数据中确定太阳能电池多个定点xi在分散位置上的第一电压校准图Va(xi)，B)至少依据步骤A所得出的第一电压图像Va(xi)来确定半导体结构在分散位置上的暗饱和电流jo(xi)和/或分散位置上的发射层电阻p(x

专利类型：发明专利

专利号：CN201080035281.4

专利申请（专利权）人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学

专利发明（设计）人：J·豪恩席尔德;S·瑞恩;M·格拉特哈尔

主权项：一种用于测量半导体结构的方法，其特征在于，所述半导体结构具有发射器和基底并且为太阳能电池或者太阳能电池的前体，该方法包括如下步骤：A在半导体结构中产生发光，并且对由半导体结构发射的光线进行分散测量，其中，在第一测量条件a下进行第一测量，并且至少依据由第一测量获得的测量数据，从步骤A所得出的测量数据中来分散测定太阳能电池多个定点xi的第一电压校准图Va(xi)，B至少依据步骤A所得出的第一电压图像Va(xi)，确定半导体结构在分散位置上的特性，包括分散位置上的暗饱和度电流jo(xi)，和/或分散位置上的发射

专利地区：德国