用于硅光伏电池生产的光致发光成像系统专利登记公告

专利名称：用于硅光伏电池生产的光致发光成像系统

摘要：本发明涉及一种对一系列硅晶片进行光致发光成像的方法，本发明的方法包括采用波长大于808nm的入射光的步骤。本发明又提出了一种采用各种光照射、相机和滤波器的结合对硅半导体材料进行分析的方法。在另一个实施例中，相机被用于捕获整个光致发光响应，且长通滤波器被用于阻止一部分信号到达所述相机或探测器。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046725.4

专利申请（专利权）人：BT成像股份有限公司

专利发明（设计）人：托斯顿·特鲁普克;伊恩·安德鲁·麦克斯威尔;约尔根·韦伯;罗伯特·安德鲁·巴多斯

主权项：一种采集硅晶片光致发光图像的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：利用波长大于808nm的入射光来产生光致发光。

专利地区：澳大利亚