不平坦图案化的基底上的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法专利登记公告
专利名称：不平坦图案化的基底上的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法
摘要：本发明提供了一种具有降低的缺陷密度以及提高的内部量子效率和光提取效率的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法。所述制造方法是用于制造半导体器件的方法，在所述半导体器件中，模板层和半导体器件结构形成在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底上。蚀刻所述蓝宝石基底，以形成不平坦图案，并且在其中形成有所述不平坦图案的所述蓝宝石基底上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080038311.7
专利申请（专利权）人：首尔OPTO仪器股份有限公司;韩国产业技术大学校产学协力团
专利发明（设计）人：南玉铉;俞根镐
主权项：一种用于制造半导体器件的方法，在所述半导体器件中，模板层和半导体器件结构形成在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底上，所述方法包括：蚀刻所述蓝宝石基底，以形成不平坦图案；以及在其中形成有所述不平坦图案的所述蓝宝石基底上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
专利地区：韩国
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