在图案化基材上藉由氢化物气相外延法(HVPE)形成三族氮化物结晶膜的方法专利登记公告

专利名称：在图案化基材上藉由氢化物气相外延法(HVPE)形成三族氮化物结晶膜的方法

摘要：一种沉积高品质低缺陷的单晶三族氮化物膜的方法。在此提供具有多个特征结构的图案化基材，该基材具有以间隔空间隔开的倾斜侧壁。三族氮化物膜是通过氢化物气相外延(HVPE)制程而沉积在图案化基材上。HVPE沉积制程形成三族氮化物膜，该三族氮化物膜在特征结构之间的间隔空间中具有第一晶体取向，而在倾斜侧壁上具有不同的第二晶体取向。间隔空间中的第一晶体取向接着蔓延盖过侧壁上的第二晶体取向，并且在制程中调转且终结形成于第一晶体取向中的贯穿式位错。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080041923.1

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;小尻英博;石川哲也

主权项：一种沉积三族氮化物膜的方法，包含以下步骤：提供图案化基材，所述图案化基材具有多个隔开的特征结构，所述特征结构是由间隔空间所分隔，其中所述多个特征结构具有倾斜的侧壁；通过氢化物气相外延(HVPE)法在所述图案化基材上生长三族氮化物膜，使得所述三族氮化物膜在所述特征结构之间的所述间隔空间中以具有第一生长速率的第一晶体取向生长，并且使得所述三族氮化物膜在所述倾斜侧壁上以具有第二生长速率的第二晶体取向生长；以及生长所述三族氮化物膜，使得具有所述第一晶体取向的所述三族氮化物膜侧向生长盖过具有所述第二晶体取向的所述三

专利地区：美国