用于RF物理气相沉积的处理套件专利登记公告

专利名称：用于RF物理气相沉积的处理套件

摘要：本发明的具体实施例一般涉及一种供半导体处理室所用的处理套件，以及具有处理套件的半导体处理室。详言之，本文所描述的具体实施例涉及一种处理套件，其包括使用于物理沉积室中的覆盖环、屏蔽件以及隔离件。处理套件的组件单独地和可结合地工作，以显著减少颗粒产生和偏离等离子体。相较于现有的多部件屏蔽件，现有的多部件屏蔽件提供延伸的RF返回路径而促使RF谐波造成处理腔外侧的偏离等离子体，本发明的处理套件的组件减少了RF返回路径，因而在内部处理区域中提供改良的等离子体。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080035744.7

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：劳拉·郝勒查克;希兰库玛·萨万戴亚;穆罕默德·M·拉希德;汪荣军;阿道弗·米勒·阿伦;谢志刚

主权项：一种屏蔽件，其用于环绕溅射靶材的溅射表面，所述溅射表面面对衬底处理室中的衬底支撑件，所述屏蔽件包括：柱状外环带，其具有第一直径，所述第一直径的大小能环绕所述溅射靶材的所述溅射表面，所述柱状外环带具有顶端和底端，所述顶端的大小能围绕所述溅射表面，所述底端的大小能围绕所述衬底支撑件；倾斜阶，其具有大于所述第一直径的第二直径，所述倾斜阶从所述柱状外环带的所述顶端径向朝外延伸；安装凸缘，其从所述倾斜阶径向朝外延伸；基底板，其从所述柱状外环带的所述底端径向朝内延伸；和柱状内环带，其连接所述基底板，且所述柱状内环带的

专利地区：美国