检测等离子体处理室内释放晶片事件的方法和装置专利登记公告

专利名称：检测等离子体处理室内释放晶片事件的方法和装置

摘要：提供了确定在等离子体处理系统的处理室中将基板从下电极机械移出的最佳时间的方法。该方法包括使用一系列传感器以监测等离子体的一系列电学特征，其中该等离子体在脱卡事件期间形成在基板的上方。该方法也包括将关于该一系列电学特征的处理数据发送到数据采集设备。该方法进一步包括对比处理数据和一系列阈值。该方法还包括，如果该处理数据越过阈值，那么因为释放基板事件已经发生，就将基板从下电极移出。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080038960.7

专利申请（专利权）人：朗姆研究公司

专利发明（设计）人：小约翰·C·瓦尔克;马克·泽瑞拉

主权项：确定在等离子体处理系统的处理室中将基板从下电极机械移出的最佳时间的方法，其包括：使用一系列传感器以监测等离子体的一系列电学特征，其中所述等离子体在脱卡事件期间形成在所述基板的上方；将关于所述一系列电学特征的处理数据发送到数据采集设备；将所述处理数据和一系列阈值相比较；如果所述处理数据越过所述阈值，那么因为释放基板事件已经发生，就将所述基板从所述下电极移出。

专利地区：美国