氮化物半导体多层结构体及其制造方法、氮化物半导体发光元件专利登记公告

专利名称：氮化物半导体多层结构体及其制造方法、氮化物半导体发光元件

摘要：本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以

专利类型：发明专利

专利号：CN201080039427.2

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：高野隆好;椿健治;平山秀树;藤川纱千惠

主权项：一种氮化物半导体多层结构体，其特征在于，具备：形成于单晶基板的一个表面上且由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的多个岛状的核，和以填埋相邻的所述核间的间隙且覆盖全部的所述核的方式形成于所述单晶基板的所述一个表面侧的、含有Al作为构成元素的第1氮化物半导体层，和形成于所述第1氮化物半导体层上且含有Al作为构成元素的第2氮化物半导体层；并且，所述核的密度不超过6×109个cm?2。

专利地区：日本