具有CdS/(Zn(S,O))缓冲层的黄铜薄膜太阳能电池及其制备方法专利登记公告

专利名称：具有CdS/(Zn(S,O))缓冲层的黄铜薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要：本发明涉及一种黄铜薄膜太阳能电池，所述黄铜薄膜太阳能电池包含CIS吸收体层(14)，直接设置在所述CIS吸收体层上的缓冲层(16)和直接设置在所述缓冲层上的含有ZnO的窗口层(18，20)。所述太阳能电池的特征在于：所述缓冲层由CdS和Zn(S，O)组成，其中，CdS的浓度从所述CIS吸收体层开始向着所述含有ZnO的窗口层降低。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080057179.4

专利申请（专利权）人：索泰克特里有限公司

专利发明（设计）人：亚历山大·梅德;戴安娜·弗尔斯特;克日什托夫·威尔谢米

主权项：一种黄铜薄膜太阳能电池，所述黄铜薄膜太阳能电池包含CIS吸收体层、直接设置在所述CIS吸收体层上的缓冲层和直接设置在所述缓冲层上的含有ZnO的窗口层，其特征在于：所述缓冲层由CdS和Zn(S，O)构成，其中，CdS的浓度从所述CIS吸收体层开始向着所述含有ZnO的窗口层下降。

专利地区：德国