半导体组件装置的热接触式反向电连接的方法专利登记公告

专利名称：半导体组件装置的热接触式反向电连接的方法

摘要：本发明提出了一种热接触式半导体组件装置(10/40)，其藉由金属层(52)在力(53)的作用下使设置在半导体组件装置(10/40)的相对侧上的两个导热体(20，30)的至少其中之一(20/30)与半导体组件装置(10/40)的接触表面(12/46)接触，其中，金属层(52)在接合剂的凝固期间不熔化，以在其全部区域之上两个导热体(20，30)之间形成黏合键结。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040173.6

专利申请（专利权）人：詹诺普蒂克激光有限公司

专利发明（设计）人：马特思亚斯·萧罗德尔;多明尼·萧罗德尔;佩翠拉·赫灵格

主权项：一种用于生产半导体模块(80)的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：a)提供i)半导体组件装置(10/40)，其中?在第一侧上具有与至少一个第一电连接(16/41)连接的第一接触表面(11/45)；以及?在与所述第一侧相对的第二侧上具有与至少一个第二电连接(17/42)连接的第二接触表面(12/46)，ii)第一导热体(20)；iii)至少一个第二导热体(30)；iv)第一金属层(51)；v)至少一个第二金属层(52)；以及vi)至少一个接合工具(55)；b)将所述半导体组件装置(10/40)排列在所述

专利地区：德国