含金属-硅膜的脉冲化学气相沉积专利登记公告

专利名称：含金属-硅膜的脉冲化学气相沉积

摘要：本发明提供一种用于通过脉冲化学气相沉积在衬底上形成含金属-硅膜的方法。所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属-硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040678.2

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：考利·瓦吉达

主权项：一种用于在衬底上形成含金属?硅膜的方法，所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属?硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。

专利地区：日本