涉及形成碳基纳米管的系统和方法专利登记公告

专利名称：涉及形成碳基纳米管的系统和方法

摘要：总体上描述了用于形成碳基纳米结构的系统和方法。在一些实施方案中，可在纳米促成剂上形成纳米结构。在一些实施方案中，纳米促成剂可包含非零氧化态的金属原子和非零氧化态的类金属原子中的至少一种。例如，纳米促成剂可包含金属氧化物、类金属氧化物、金属硫属化物、类金属硫属化物等。可通过在存在或不存在生长基材下将纳米促成剂暴露于所选择的一系列在纳米促成剂上引起形成碳基纳米结构的条件来生长碳基纳米结构。在一些实施方案中，在形成碳基纳米结构期间非零氧化态的金属或类金属原子不被还原成零氧化态。在一些情况下，在形成碳基纳米结构期

专利类型：发明专利

专利号：CN201080041244.4

专利申请（专利权）人：麻省理工学院

专利发明（设计）人：S·A·斯坦纳三世;B·L·瓦德尔

主权项：一种生长碳纳米管的方法，其包括：在引起于纳米促成剂上形成碳纳米管的条件下将碳纳米管前体暴露于包含氧化锆的纳米促成剂。

专利地区：美国