半导体装置以及半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080042659.3

专利申请（专利权）人：丰田自动车株式会社

专利发明（设计）人：杉本雅裕;関章宪;川桥宪;高桥康夫;前田将克

主权项：一种半导体装置的制造方法，具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。

专利地区：日本