有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构专利登记公告

专利名称：有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构

摘要：本发明提供一种电特性优异的有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构。在有机半导体层（3）上形成接触时，首先形成容易被氧化的金属的、例如数nm以下的非常薄的膜，以此作为电荷注入层（4）。再用不易被氧化的金属等的导电体在电荷注入层（4）上形成电流供给层（5）。可通过使用简易的工序和廉价的材料来降低有机半导体器件的接触电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080053634.3

专利申请（专利权）人：独立行政法人物质·材料研究机构

专利发明（设计）人：三成刚生;熊谷明哉;塚越一仁

主权项：一种有机半导体器件的接触结构的制作方法，其具备：形成有机半导体层的工序；以及，形成由导电体制成的电流供给层的工序，在所述形成有机半导体层的工序与所述形成由导电体制成的电流供给层的工序之间设置有形成电荷注入层的工序，所述电荷注入层由容易被氧化的金属的薄膜制成，且电荷注入层的一个面与所述电流供给层接触，另一面与所述有机半导体层接触。

专利地区：日本