III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件专利登记公告

专利名称：III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件

摘要：在半导体器件100中，通过使前表面10a具有特定的面取向，并且表面层12中存在以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物及以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，可以抑制在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处堆积C。因此，抑制了在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处形成高电阻率层。因此，可以提高半导体器件100的发光强度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080043216.6

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：石桥惠二

主权项：一种用于半导体器件中的III族氮化物半导体衬底，其包含在所述III族氮化物半导体衬底前表面上的表面层，其中所述表面层包含以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，并且所述前表面的法线轴相对于c轴的倾斜角为10°至81°。

专利地区：日本