制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体专利登记公告
专利名称：制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体
摘要：本发明提供一种通过升华来制造SiC晶体的方法，其中用于生长SiC晶体的气氛气体含有He。所述气氛气体可还含有N。所述气氛气体可还含有选自Ne、Ar、Kr、Xe和Rn中的至少一种气体。He在所述气氛气体中的分压优选为40％以上。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080043770.4
专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社
专利发明（设计）人：西口太郎
主权项：一种通过升华来制造碳化硅晶体(10)的方法，其中用于生长所述碳化硅晶体(10)的气氛气体包含氦气。
专利地区：日本
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