基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制专利登记公告

专利名称：基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制

摘要：在静态存储器单元中，在利用绝缘材料填充隔离沟槽(203T)之前，透过该隔离沟槽(203T)的侧壁(203S)在主动区(202C)的端部纳入注入种类可显着降低形成连接该主动区(202C)与该隔离区(203)上方的栅极电极结构(210A)的接触组件时的失效率。该注入种类可为P型掺杂种类和/或惰性种类，以显着改变该主动区(202C)的该端部的材料特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080043865.6

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：T·卡姆勒;M·维尔特;R·博施克;P·亚沃尔卡

主权项：一种方法，包括：在半导体装置的半导体材料(202)中形成隔离沟槽(203T)，该隔离沟槽(203T)具有侧壁(203S)，其连接该半导体装置的存储器单元的第一晶体管的主动区(202C)，该侧壁(203S)沿长度方向界定该主动区(202C)；透过该侧壁(203S)的至少其中部分向该主动区(202C)的部分引入注入种类，该注入种类自该侧壁(203S)向该主动区(202C)内沿该长度方向延伸特定距离；引入该注入种类后，利用绝缘材料填充该隔离沟槽(203T)，以形成隔离结构(203)；在该主动区(202C)之中及

专利地区：开曼群岛