半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058540.5

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：田丸雅规;中西和幸;西村英敏

主权项：一种半导体装置，在第1方向上排列配置了多个单元列，在每个单元列中，在所述第1方向延伸的多个栅极被排列配置在与所述第1方向正交的第2方向上，所述多个单元列分别具备在所述栅极的下方形成且分别在所述第2方向上延伸的第1导电型阱区域及第2导电型阱区域，作为所述多个单元列之一的第1单元列具备：第1阱电位供给区域，是在所述第1导电型阱区域中注入导电型与所述第1导电型阱区域相同的杂质而形成的；第1及第2相邻栅极，其分别配置在所述第1阱电位供给区域的所述第2方向上的两侧；第3相邻栅极，在所述第1阱电位供给区域的相反侧相邻

专利地区：日本