氧化物超导体用取向膜基底层及其成膜方法以及其成膜装置专利登记公告
专利名称：氧化物超导体用取向膜基底层及其成膜方法以及其成膜装置
摘要：本发明提供一种氧化物超导体用取向膜基底层的成膜方法，其以与基材的表面对置的方式在上述基材的长度方向配置2种以上的靶；向上述2种以上的靶的表面同时照射离子束，将上述2种以上的靶的构成粒子按上述2种以上的靶的配置顺序堆积在上述基材的表面；使上述基材多次通过上述构成粒子的堆积区域内，在每次所述通过中使上述2种以上的靶的上述构成粒子反复堆积在上述基材的表面，形成在上述基材的表面反复层叠有2种以上的薄膜的层叠体。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080044542.9
专利申请（专利权）人：株式会社藤仓
专利发明（设计）人：羽生智;饭岛康裕
主权项：一种氧化物超导体用取向膜基底层的成膜方法，其特征在于，以与基材的表面对置的方式沿所述基材的长度方向配置2种以上的靶；向所述2种以上的靶的表面同时照射离子束，使所述2种以上的靶的构成粒子按所述2种以上的靶的配置顺序堆积在所述基材的表面；使所述基材多次通过所述构成粒子的堆积区域内，每次所述通过中使所述2种以上的靶的所述构成粒子反复堆积在所述基材的表面，形成在所述基材的表面反复层叠有2种以上的薄膜的层叠体。
专利地区：日本
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