硅蚀刻液和蚀刻方法专利登记公告

专利名称：硅蚀刻液和蚀刻方法

摘要：本发明提供一种蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是半导体或MEM?S部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的、液体中存在Cu时所发生的Si蚀刻速度的降低，从而表现出较高的蚀刻速度。本发明涉及一种硅蚀刻液，其特征在于，其为含有碱性氢氧化物、羟基胺和硫脲类的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅；另外涉及使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080044830.4

专利申请（专利权）人：三菱瓦斯化学株式会社

专利发明（设计）人：藤音喜子;外赤隆二

主权项：一种硅蚀刻液，其特征在于，该硅蚀刻液各向异性地溶解单晶硅，其为含有(1)选自氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化四甲铵中的1种以上碱性氢氧化物、(2)羟基胺和(3)硫脲类的碱性水溶液。

专利地区：日本