试样台和微波等离子体处理装置专利登记公告

专利名称：试样台和微波等离子体处理装置

摘要：本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047610.7

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：吉川弥;茂山和基;冈山信幸;周藤贤治;大塚康弘

主权项：一种试样台，其用于对要实施基板处理的被处理基板进行保持，其特征在于，该试样台包括：吸附板，其具有与被处理基板面接触的接触面，并用于对与该接触面面接触的被处理基板进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。

专利地区：日本