利用可倾斜的高架RF感应源的等离子体反应器专利登记公告

专利名称：利用可倾斜的高架RF感应源的等离子体反应器

摘要：通过使高架RF源功率施加器绕倾斜轴倾斜来执行等离子体蚀刻速率分布中的歪斜校正，倾斜轴的角度是由处理数据中的歪斜来确定的。通过结合对浮置板进行支撑的精确的三个轴向运动伺服系统来提供运动的完全自由度，从该浮置板悬挂高架RF源功率施加器。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080039319.5

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：肯尼思·S·柯林斯;安德鲁·源;杰弗瑞·马丁·萨利纳斯;伊玛德·尤瑟夫;明·徐

主权项：一种用于处理工件的等离子体反应器，其包括：处理室壳体，其限定了处理室内部并且包括室侧壁以及室顶壁，并且工件保持件在所述处理室内部内；导电RF壳体，其在所述顶壁上方、并且包括RF壳体侧壁和RF壳体顶盖；肩部环，其被支撑在所述RF壳体侧壁上；浮置支撑板，其在所述导电RF壳体内侧并且被定位成与所述肩部环相邻；多个径向内、外RF等离子体源功率施加器，其从所述浮置支撑板悬挂在位于所述浮置支撑板下方、所述室顶壁上方的空间中；多个RF功率源，所述多个RF功率源中的每一者被耦合到所述多个RF等离子体功率施加器中的相应一者

专利地区：美国