用于碳化硅半导体的清洗方法和用于碳化硅半导体的清洗设备专利登记公告

专利名称：用于碳化硅半导体的清洗方法和用于碳化硅半导体的清洗设备

摘要：本发明公开了一种用于SiC半导体的清洗方法，其包括在SiC半导体(1)的前表面上形成氧化物膜(3)的步骤(步骤(S2))，以及移除氧化物膜(3)的步骤(步骤(S3))。在形成氧化物膜(3)的步骤中使用氧等离子体。可以在移除氧化物膜(3)的步骤(步骤(S3))中使用氟化氢。从而能够实现SiC半导体(1)上的清洗效果。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004217.4

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：宫崎富仁;和田圭司;日吉透

主权项：一种用于碳化硅半导体的清洗方法，包括以下步骤：在碳化硅半导体(1)的前表面上形成氧化物膜(3)；以及移除所述氧化物膜(3)，其中在形成所述氧化物膜(3)的步骤中使用氧等离子体。

专利地区：日本