半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备焊接有多个接合线的半导体元件，且接合线的接合强度高，并能够实现充分的接合可靠性。所述半导体装置，其特征在于，包括：第一接合线，其一端被焊接在电极上，另一端被焊接在所述电极外的第二焊接点；和第二接合线，其一端被焊接在所述电极上的所述第一接合线上，另一端被焊接在所述电极外的第三焊接点。并且，所述第二接合线的所述一端的焊接部，覆盖所述第一接合线的上面及侧面的至少一部分。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045152.3

专利申请（专利权）人：日亚化学工业株式会社

专利发明（设计）人：濑野良太

主权项：一种半导体装置，其特征在于，包含：第一接合线，其一端被焊接在电极上，另一端被焊接在所述电极外的第二焊接点；第二接合线，其一端被焊接在所述电极上的所述第一接合线上，另一端被焊接在所述电极外的第三焊接点，并且，所述第二接合线的所述一端的焊接部覆盖所述第一接合线的上面及侧面的至少一部分。

专利地区：日本