光电器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：光电器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种薄膜光电器件，包括：封闭在第一阻挡层结构(20)和第二阻挡层结构(40)之间的功能层结构(30)；所述器件具有导通的电互连导电结构(10)，所述电互连导电结构(10)嵌入在所述第一阻挡层结构(20)内，所述电互连导电结构(10)包括在所述阻挡层结构(20)内横向延伸的至少一个金属细长元件(12a、12b、12c)，所述电互连导电结构(10)设置为抵靠所述功能层结构(30)，所述电互连导电结构(10)具有嵌入所述第一阻挡层结构(20)内的、横向朝向的、被处理过的表面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045279.5

专利申请（专利权）人：荷兰应用自然科学研究组织TNO

专利发明（设计）人：樊嘉辰;乔安妮·莎拉·威尔森;安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔;S·哈尔科马

主权项：一种制造薄膜光电器件(1)的方法，包括步骤：提供(S1)第一金属基底(10)；对所述金属基底的第一主表面(11)进行图案化(S2)，从而在所述第一主表面(11)内产生凸起部分(12)和凹陷部分(13)；在所述金属基底(12)的第一主表面(11)处沉积(S3)第一阻挡层结构(20)；在与所述第一主表面(11)相对的第二主表面(15)处从所述金属基底去除(S4)材料，以显露与所述凹陷部分相对的第一阻挡层结构(20)；在所述第一阻挡层结构(20)的被从所述金属基底去除材料的一侧，施加(S5)功能层结构(30)；

专利地区：荷兰