有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂专利登记公告

专利名称：有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂

摘要：本发明提供了一种有机电子器件，其包含衬底、布置在衬底上的第一电极，布置在第一电极上的至少第一功能化有机层和布置在第一功能化有机层上的第二电极。所述第一功能化有机层包含基质材料以及基质材料的p-掺杂剂，其中p-掺杂剂包含含至少一个具有下式的配体L的铜配合物：其中E1和E2可以是相同或不同的且表示氧、硫、硒或NR’，其中R表示氢、或取代或未取代的支化、线性或环状的烃，其中R’表示氢、或取代或未取代的支化、线性或环状的烃。本发明进一步提供了一种用于掺杂有机半导体基质材料的多核铜配合物，其包含至少两个铜原子以及桥

专利类型：发明专利

专利号：CN201080041456.2

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：冈特·施密德;扬·豪克·韦姆肯;玛丽娜·A·彼得鲁希娜

主权项：一种有机电子器件，其包含：?衬底?布置在所述衬底上的第一电极，?布置在所述第一电极上的至少第一功能化有机层，?布置在所述第一功能化有机层上的第二电极，?其中所述第一功能化有机层包含基质材料以及所述基质材料的p?掺杂剂，其中所述p?掺杂剂包含铜配合物，所述铜配合物包含至少一个具有下式的配体L：其中E1和E2可以是相同或不同的，且表示氧、硫、硒或NR’，其中R表示氢、或者取代或未取代的支化、线性或环状的烃，其中R’表示氢、或者取代或未取代的支化、线性或环状的烃。FDA0000144237100000011.t

专利地区：德国