用于SOI MOSFET中的面积高效型主体接触的分层浅沟槽隔离专利登记公告

专利名称：用于SOI MOSFET中的面积高效型主体接触的分层浅沟槽隔离

摘要：本发明公开了一种体硅层上的SOI器件，其具有FET区、主体接触区和STI区。该FET区由SOI层和上覆栅极组成。该STI区包括第一STI层，该STI层将该SOI器件与相邻SOI器件分开。该主体接触区包括该SOI层的延伸部分、该延伸部分上的第二STI层以及与该延伸部分接触的主体接触。该第一STI层和该第二STI层邻接并且具有不同厚度以便形成分层STI。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045288.4

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：李影;S·纳拉辛哈;W·A·劳施

主权项：一种SOI器件，包括：FET区(22)，其包括SOI层(34)；STI区，其具有将所述SOI器件与相邻的SOI器件分开的第一STI层(STI?1)，所述第一STI层具有第一厚度；主体接触区(24)，其在所述FET区与所述STI区之间，所述主体接触区具有所述SOI层的延伸部分(35)以及具有第二厚度的上覆第二STI层(STI?2)；以及主体接触(67)，其与所述SOI延伸部分接触；其中所述第一厚度不同于所述第二厚度。

专利地区：美国