分栅式场效应晶体管专利登记公告

专利名称：分栅式场效应晶体管

摘要：一种分栅式场效应晶体管装置。该装置包括分栅式结构，其具有沟槽、栅电极和源电极。第一多晶硅层被设置在该沟槽内，并被连接到栅电极上。第二多晶硅层被连接到源电极上，其中，该第一多晶硅层和第二多晶硅层是独立的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046269.3

专利申请（专利权）人：维西埃-硅化物公司

专利发明（设计）人：K.特里尔;G.杨;C.帕克

主权项：一种分栅式场效应晶体管装置，包括：分栅式结构，具有沟槽、栅电极和源电极；第一多晶硅层，被设置在所述沟槽之内，并且连接到所述源电极；第二多晶硅层，连接到所述栅电极，其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层是独立的。

专利地区：美国